Polvo Policristalino de Carburo de Silicio de Grado Semiconductor 99.9999% 6n SiC
El polvo policristalino de carburo de silicio (SiC) de grado semiconductor con una pureza del 99,9999% (6N) es un material crítico en la producción de dispositivos semiconductores avanzados y electrónica de alta potencia. Este SiC policristalino de pureza ultra alta está diseñado específicamente para aplicaciones que requieren una conductividad térmica excepcional, estabilidad eléctrica y resistencia mecánica. Su pureza 6N asegura impurezas mínimas, lo cual es esencial para mantener la integridad de los componentes semiconductores en condiciones extremas.
La forma policristalina de SiC permite estructuras de material robustas, lo que lo hace ideal para su uso en sustratos, capas epitaxiales y componentes sinterizados. Este grado de SiC se utiliza ampliamente en la fabricación de diodos Schottky, MOSFET y otros dispositivos de potencia que operan a altos voltajes y temperaturas. Su capacidad para soportar entornos hostiles sin degradarse lo convierte en una opción preferida para vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y tecnologías aeroespaciales.
El polvo policristalino también se utiliza en procesos de deposición química de vapor (CVD) para cultivar cristales de SiC de alta calidad, lo que permite la producción de dispositivos semiconductores de próxima generación. Con su conductividad térmica superior y resistencia al choque térmico, el SiC 6N mejora el rendimiento y la longevidad de los componentes electrónicos. Su creciente demanda en la industria de semiconductores subraya su importancia para impulsar la innovación en electrónica de potencia y más allá. Para los fabricantes que buscan materiales confiables y de alta pureza para aplicaciones de semiconductores avanzados, el polvo policristalino de SiC al 99,9999% es la opción óptima.
Especificaciones
| Rango de Tamaños de Grano |
Composición Química (% en peso) |
| SiC% |
C.F. % |
Fe2O3% |
Densidad (g/cm3) |
| SiC98% |
≥98.5 |
≤0.2 |
≥3.4 |
| SiC97% |
≥97.5 |
≤0.3 |
≥3.3 |
| SiC90% |
≥90 |
≤2.5 |
≥3.15 |
| SiC88% |
≥88 |
≤3.0 |
≥3.15 |
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